transistor à quatre couches

transistor à quatre couches
ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four-layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m

Fizikos terminų žodynas : lietuvių, anglų, prancūzų, vokiečių ir rusų kalbomis. – Vilnius : Mokslo ir enciklopedijų leidybos institutas. . 2007.

Игры ⚽ Нужно сделать НИР?

Look at other dictionaries:

  • Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement …   Wikipédia en Français

  • four-layer transistor — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …   Fizikos terminų žodynas

  • Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

  • Vierschichtentransistor — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …   Fizikos terminų žodynas

  • Vierschichttransistor — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …   Fizikos terminų žodynas

  • ketursluoksnis tranzistorius — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …   Fizikos terminų žodynas

  • четырёхслойный транзистор — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …   Fizikos terminų žodynas

  • COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”